半导体激光照射预防和缓解牙髓炎急性反应

• 作者: 裴路 谢晓华 郭阳
• 来源期刊: 中国公共卫生
• 学科: 医学
• 关键词: 激光照射 根管治疗期间急症 牙根尖周炎
• 年，卷（期）: 2007,（8）
• 所属期刊栏目: 论著
• 页码范围: 972-973
• 页数: 2页
• 分类号: R781.31
• 字数: 1248字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-0580.2007.08.032

摘要

目的 观察半导体激光照射预防及缓解根管治疗急性反应(endodontic interappointment EIAE)的效果.方法 选取需进行根管治疗的患有牙髓炎及根尖周炎的牙病患者304例,随机分为2组,在进行根管预备及樟脑酚棉捻开放后,其中1组(155例)应用半导体激光在牙体外辐射根尖区,另1组不作处置,24h后观察记录患者主观症状和体征,比较2组根管治疗急性反应发生率.另选取根管充填后发生急性反应的牙病患者175例,随机分为2组,1组(96例)应用半导体激光在牙体外辐射根尖区;另1组(79例)给予口服甲硝唑及先锋Ⅳ,24h后观察记录患者主观症状和体征,比较2组缓解根管治疗急性反应效果.结果 304例牙病患者中,应用半导体激光照射组的急性反应发生率为4.52%,未照射组为10.74%,2组差异有统计学意义(P＜0.05);175例根管填充后发生急性反应的患者中,半导体激光照射组的EIAE缓解效果明显好于药物治疗组,2组差异有统计学意义(P＜0.05).结论 半导体激光照射可有效预防和缓解根管治疗急性反应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢晓华	哈尔滨医科大学附属第二医院口腔内科	14	74	4.0	8.0
2	郭阳	哈尔滨医科大学附属第二医院口腔内科	19	91	5.0	9.0
3	裴路	哈尔滨医科大学附属第二医院口腔内科	16	63	5.0	7.0