Snapback应力引起的90 nm NMOSFET's栅氧化层损伤研究

• 作者: 刘红侠 曹艳荣 朱志炜 郝跃 马晓华
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 突发击穿 软击穿 应力引起的泄漏电流 热电子应力
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1075-1081
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 字数: 5366字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.02.075

摘要

实验结果发现突发击穿(snapback),偏置下雪崩热空穴注入NMOSFET栅氧化层,产生界面态,同时空穴会陷落在氧化层中.由于栅氧化层很薄,陷落的空穴会与隧穿入氧化层中的电子复合形成大量中性电子陷阱,使得栅隧穿电流不断增大.这些氧化层电子陷阱俘获电子后带负电,引起阈值电压增大、亚阈值电流减小.关态漏泄漏电流的退化分两个阶段:第一阶段亚阈值电流是主要成分,第二阶段栅电流是主要成分.在预加热电子(HE)应力后,HE产生的界面陷阱在snapback应力期间可以屏蔽雪崩热空穴注入栅氧化层,使器件snapback开态和关态特性退化变小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	312	1866	17.0	25.0
2	马晓华	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	40	140	7.0	8.0
3	曹艳荣	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	11	41	5.0	6.0
4	刘红侠	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	91	434	10.0	15.0
5	朱志炜	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	19	96	5.0	8.0