用于802.11a系统的5.8GHz 0.18μm CMOS全集成低噪声放大器设计

• 作者: 蒋东铭 赵亮 陆静学 黄风义
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 低噪声放大器 CMOS工艺 噪声优化 电感模型
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 页码范围: 380-383
• 页数: 4页
• 分类号: TN722.3|TN702
• 字数: 1673字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.02.009

摘要

通过对输入匹配、噪声和线性度的分析,给出了改进低噪声放大器综合性能的方法.利用软件对电路进行噪声优化,设计出了一个0.18μmCMOS工艺的5.8GHz全集成低噪声放大器.采用工艺厂家提供的电感测试数据进行参数提取,得到精准的电感模型并用于电路仿真.设计结果是整个电路功耗13mW,功率增益为14dBm,噪声系数为2.05dB,线性度指标IIP3为-1dBm.