Nd掺杂对Bi4Ti3O12铁电薄膜的微结构和铁电性能的影响

• 作者: 周益春 廖敏 潘伟 王金斌 谭丛兵 钟向丽
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Nd掺杂 Bi4Ti3O12 拉曼频移 铁电性能
• 年，卷（期）: 2007,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 6084-6089
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 4773字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.10.090

摘要

利用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了Nd掺杂Bi4Ti3O12 (Bi4-xNdxTi3O12,x=0.00,0.30,0.45,0.75,0.85,1.00,1.50)铁电薄膜样品.研究了Nd掺杂对Bi4Ti3O12薄膜的微结构和铁电性能的影响.研究结果表明:Nd掺杂未改变Bi4Ti3O12薄膜的基本晶体结构.在掺杂量x＜0.45时,Nd3+只取代类钙钛矿层中的A位Bi3+.当x=0.45时,样品剩余极化强度达最大值,在270 kV·cm-1的电场下为32.7 μC·cm-2.掺杂量进一步增加时,结构无序度开始明显增大,Nd3+开始进入(Bi2O2)2+层,削弱其绝缘层和空间电荷库的作用,导致材料剩余极化逐渐下降.当掺杂量x达到1.50时,掺杂离子最终破坏(Bi2O2)2+层的结构,材料发生铁电-顺电相变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周益春		108	552	11.0	21.0
2	潘伟	清华大学材料科学与工程系	86	734	14.0	23.0
3	王金斌		37	88	5.0	8.0
4	钟向丽		25	30	3.0	5.0
5	谭丛兵		8	17	3.0	4.0
9	廖敏		1	4	1.0	1.0