深能级缺陷对半绝缘InP材料电学补偿的影响

• 作者: 杨俊 王博 苗杉杉 董志远 赵有文 邓爱红
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: InP 半绝缘 深能级 电学补偿
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1167-1171
• 页数: 5页
• 分类号: TN3
• 字数: 4207字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.02.091

摘要

对铁掺杂和高温退火非掺杂磷化铟制备的两种半绝缘材料的电学补偿和深能级缺陷进行了分析和比较.根据热激电流谱(TSC)测得的深能级缺陷结果,分析了这两种半绝缘InP材料中深能级缺陷对电学补偿的影响.在掺铁半绝缘InP材料中,由于存在高浓度的深能级缺陷参与电学补偿,降低了材料的补偿度和电学性能.相比之下,利用磷化铁气氛下高温退火非掺InP获得的半绝缘材料的深能级缺陷浓度很低,通过扩散掺入晶格的铁成为唯一的深受主补偿中心钉扎费米能级,材料表现出优异的电学性质.在此基础上给出了一个更为广泛的半绝缘InP材料的电学补偿模型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓爱红	四川大学物理学院应用物理系	26	66	5.0	6.0
2	王博	四川大学物理学院应用物理系	34	142	7.0	11.0
3	杨俊	四川大学物理学院应用物理系	29	94	6.0	8.0
4	赵有文	中国科学院半导体研究所	42	217	7.0	11.0
5	董志远	中国科学院半导体研究所	25	154	7.0	11.0
6	苗杉杉	四川大学物理学院应用物理系	4	24	3.0	4.0