大容量NAND FLASH在ARM嵌入式系统中的设计与实现

• 作者: 张宇 罗钧
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: NAND FLASH 嵌入式系统 存储器 块擦除 页编程
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 电子技术
• 页码范围: 172-174
• 页数: 3页
• 分类号: TP333
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2007.11.058

摘要

随着嵌入式系统的快速发展,FLASH存储设备得到越来越广泛的应用.以Samsung公司的NAND FLASH器件K9F2808U0C为例,根据ARM嵌入式系统的要求以及NAND型Flash存储器的特点,设计了与LPC2210的接口电路,阐述了NAND FLASH的基本结构和对其操作程序流程,介绍了NAND FLASH在ARM嵌入式系统中的设计与实现方法,并将其在μC/OS Ⅱ操作系统上实现并验证,实验结果证明符合设计要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张宇	重庆大学光电工程学院	41	334	11.0	17.0
2	罗钧	重庆大学光电工程学院	69	943	15.0	28.0