掺Er/Er+O的GaN薄膜光学性质的研究

• 作者: 宋淑芳 徐叙瑢 许振嘉 陈维德
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: GaN Er Raman散射 光致发光
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1621-1626
• 页数: 6页
• 分类号: O6
• 字数: 3970字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.03.065

摘要

利用Raman散射谱研究了GaN注Er以及Er+O共注样品的振动模,并讨论了共注入O对Er离子发光的影响.在Raman散射谱中,对于注Er的GaN样品出现了300 cm-1和670 cm-1两个新的Raman峰,而对于Er+O共注样品,除了上述两个峰外,在360 cm-1处出现了另外一个新的峰,其中300 cm-1峰可以用disorder-activated Raman scattering(DARS)来解释,670 cm-1峰是由于与N空位相关的缺陷引起的,而360 cm-1峰是由O注入引起的缺陷络合物产生的.由于360 cm-1模的缺陷出现,从而导致Er+O共注入GaN薄膜红外光致发光(PL)强度的下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈维德	中国科学院半导体研究所	12	35	4.0	5.0
2	宋淑芳	北京交通大学光电子研究所	11	65	5.0	7.0
4	许振嘉	中国科学院半导体研究所	8	24	3.0	4.0
5	徐叙瑢	北京交通大学光电子研究所	20	54	4.0	6.0