低能电子入射电离He原子二重微分截面的理论研究

• 作者: 吴兴举 周军 孙瑞 张穗萌 杨欢 高矿
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 二重微分截面 低能入射电子 交换效应
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 原子和分子物理学
• 页码范围: 6378-6385
• 页数: 8页
• 分类号: O56
• 字数: 5747字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.11.036

摘要

研究了低能电子入射单电离He原子的二重微分截面(DDCS),通过对散射电子三重微分截面在全空间的角度积分得到敲出电子的DDCS.分别用DS3C模型和BBK模型计算了入射能为26.3,28.3,30.3,32.5,34.3,36.5和40.7 eV时,低能电子入射电离He原子的DDCS;研究表明:DS3C的计算结果,除在低入射能(比如26.3 eV)和小敲出角之外,均能与绝对测量的实验结果较好地符合.此外,对直接和交换效应也进行了研究,给出了交换效应对截面的贡献.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张穗萌	安徽皖西学院数理系原子与分子物理研究所	17	49	4.0	5.0
5	吴兴举	安徽皖西学院数理系原子与分子物理研究所	10	19	3.0	3.0
6	高矿	安徽师范大学物理与电子信息学院	8	14	2.0	3.0
7	杨欢	安徽师范大学物理与电子信息学院	8	14	2.0	3.0
8	孙瑞	安徽皖西学院数理系原子与分子物理研究所	2	4	1.0	2.0
9	周军	安徽皖西学院数理系原子与分子物理研究所	2	4	1.0	2.0