铌酸锂晶体中的磁光折变效应研究

• 作者: 孔凡磊 孙骞 崔国新 李玉栋 许京军 齐继伟
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁光生伏打 磁光折变效应 光生伏打
• 年，卷（期）: 2007,（12）
• 所属期刊栏目: 唯象论的经典领域
• 页码范围: 7015-7022
• 页数: 8页
• 分类号: O371
• 字数: 5363字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.12.036

摘要

对于掺铁铌酸锂晶体中不同全息记录配置下的磁光折变效应做了比较系统的理论分析,给出了铌酸锂晶体所有的磁光生伏打非零张量元. 详细计算并给出了不同全息纪录配置下的所有体光生伏打、磁光生伏打电流的解析形式. 理论结果表明,由于磁光生伏打效应引起了光激发电流的变化,所以对于每种配置全息光栅的衍射效率都会受到外加磁场的影响;对于不同的全息记录配置,磁场对铌酸锂晶体光折变非线性性质的影响也不同. 讨论了一种确定特定张量元的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许京军	南开大学弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室	80	471	12.0	17.0
2	李玉栋	南开大学弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室	9	18	3.0	4.0
3	崔国新	南开大学弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室	4	10	2.0	3.0
4	齐继伟	南开大学弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室	7	10	2.0	3.0
5	孔凡磊	南开大学弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室	2	6	1.0	2.0