基于I-V-T和C-V-T的GaN上Ni/Au肖特基接触特性研究

• 作者: 冯倩 刘杰 张进城 王冲 郝跃 郭亮良
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化镓 肖特基二极管 表面势垒减薄模型 热电子场发射
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3483-3487
• 页数: 5页
• 分类号: O46
• 字数: 2835字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.06.073

摘要

基于对制作在n-GaN上的肖特基二极管的变温,I-V测试和C-V测试,采用表面势垒减薄模型对肖特基二极管的电流输运特性进行了研究.试验结果表明,肖特基接触的电流输运机理非常复杂,在不同的温度条件和偏压条件下有着不同的电流输运机理.在此基础上对肖特基接触,I-V特性方程进行了修正,得到了很好的拟合曲线.试验表明,高温I-V法提取的势垒高度与常温C-V法提取的势垒高度接近于根据金属功函数得出的理论势垒高度值.