极化诱导的内建电场对Mnδ掺杂的GaN/AlGaN量子阱居里温度的调制

• 作者: 俞建国 吕斌 王基庆 申晔 茅惠兵 邢怀中
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN 量子阱 内建电场 居里温度
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3453-3457
• 页数: 5页
• 分类号: O46
• 字数: 3775字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.06.067

摘要

采用传输矩阵方法分析极化诱导的内建电场对Mnδ掺杂的GaN/A1xGa1-xN量子阱居里温度(Tc)的调制作用.通过解薛定谔方程计算出在不同的内建电场条件下半导体量子阱局域态内的基态空穴能级和波函数分布情况,并在此基础上确定量子阱内Mnδ掺杂情况下Tc随内建电场的变化趋势,分析了不同量子阱结构引起的内建电场分布变化及其对Tc的影响.在耦合双量子阱中通过调节左右阱的不对称性可以得到Tc近3倍的增长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	申晔	上海华东师范大学信息学院电子系	1	1	1.0	1.0
2	邢怀中	东华大学物理系	14	45	5.0	5.0
3	俞建国	上海华东师范大学信息学院电子系	1	1	1.0	1.0
4	吕斌	上海华东师范大学信息学院电子系	1	1	1.0	1.0
5	茅惠兵	上海华东师范大学信息学院电子系	1	1	1.0	1.0
6	王基庆	上海华东师范大学信息学院电子系	1	1	1.0	1.0