辐射感生应力弛豫对Alm Ga1-m N/GaN HEMT电学特性的影响

• 作者: 范隆 郝跃
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: AlmGa1-mN/GaN HEMT 辐射损伤 应力弛豫
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 3393-3399
• 页数: 7页
• 分类号: O46
• 字数: 4949字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.06.058

摘要

基于电荷控制原理建立了辐射感生AlmGa1-mN势垒层应力弛豫对AlmGa1-mN/GaN HEMTs器件电学特性影响的解析模型,并进行了仿真分析.结果表明,对于高Al组分HEMTs器件,AlmGa1-mN势垒层中辐射感生的应力弛豫影响更为显著.辐射感生应力弛豫不但导致2DEG下降和阈值电压正向漂移,而且能够引起漏极输出电流的明显下降.辐射感生应力弛豫是赝配AlmGa1-mN/GaN HEMTs辐射损伤的重要机理之一.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃		312	1866	17.0	25.0
2	范隆		1	1	1.0	1.0