F掺杂SnO2电子结构的模拟计算

• 作者: 徐剑 王占山 苑同锁 鲁大学 黄水平
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: F掺杂 SnO2 电子结构 态密度
• 年，卷（期）: 2007,（12）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 7195-7200
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3934字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.12.064

摘要

采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法对SnO2:F体系的电子结构进行了第一性原理模拟计算.用广义梯度近似方法优化SnO2:F体系的晶胞结构,计算了体系基态总能.通过确定F掺杂对O的优先替代位置,计算了SnO2:F的能带结构、态密度、分波态密度.分析了F掺杂对SnO2晶体的电子结构和晶体性质及光学吸收边的影响,从理论上得出光学吸收边发生蓝移.对不同掺杂量的体系电子结构进行了分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	苑同锁		5	48	3.0	5.0
2	鲁大学		10	61	5.0	7.0