微晶硅薄膜的表面粗糙度及其生长机制的X射线掠角反射研究

• 作者: 刘丰珍 吴忠华 周炳卿 周玉琴 朱美芳 陈兴
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: X射线掠角反射 微晶硅薄膜 表面粗糙度 生长机制
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2422-2427
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3746字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.04.094

摘要

采用等离子体增强化学气相沉积技术沉积一系列处于不同生长阶段的微晶硅薄膜.通过同步辐射X射线掠角反射技术研究微晶硅薄膜的表面粗糙度随时间等的演化,探讨微晶硅薄膜的生长动力学过程及其生长机制.研究结果表明,在衬底温度为200 ℃,电极间距为2 cm,沉积气压为6.66×102 Pa,射频功率密度为0.22 W/cm2,氢稀释度分别为99%和98%的沉积条件下,在玻璃衬底上生长的微晶硅薄膜生长指数β分别为0.21±0.01和0.24±0.01.根据KPZ模型,微晶硅薄膜的生长机制为有限扩散生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈兴	中国科学院高能物理研究所北京同步辐射实验室	23	248	8.0	15.0
2	吴忠华	中国科学院高能物理研究所北京同步辐射实验室	34	146	8.0	10.0
3	周炳卿	内蒙古师范大学物理与电子信息学院	45	134	6.0	8.0
4	刘丰珍	中国科学院研究生院物理科学学院	17	105	4.0	10.0
5	朱美芳	中国科学院研究生院物理科学学院	11	98	4.0	9.0
6	周玉琴	中国科学院研究生院物理科学学院	11	46	4.0	6.0