镓铝双质掺杂在制造快速晶闸管中的应用研究

• 作者: 刘秀喜 王公堂
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 快速晶闸管 镓铝双质掺杂技术 杂质浓度分布
• 年，卷（期）: 2007,（8）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 4823-4828
• 页数: 6页
• 分类号: TN3
• 字数: 4722字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.08.076

摘要

采用开管式Al乳胶源涂布与气相Ga相结合的技术,实现了镓铝双质在n型si中的均匀掺杂,得到了p型半导体.研究了镓铝双质掺杂的方法及其与器件性能的关系,并讨论了机理.利用扩展电阻法、四探针和晶闸管测试仪等手段,测试了镓铝扩散si片的杂质分布规律、薄层电阻Rs及快速晶闸管的多项参数.利用该技术制造的快速晶闸管的关断时间toff为31.2-38.6 μs,开通时间ton为4.6-5.9 μs,通态峰值压降VTM为1.9-2.1 V.实验和试用表明,该掺杂技术能明显提高器件的综合性能、电参数一致性和成品率,为制造快速晶闸管提供了一种可行的受主双质掺杂新工艺.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王公堂	山东师范大学物理与电子科学学院	32	104	6.0	8.0
2	刘秀喜	山东师范大学物理与电子科学学院	9	6	2.0	2.0