基于ARM9内核Processor对外部NAND FLASH的控制实现

• 作者: 夏涛
• 来源期刊: 现代电子技术
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 电子技术
• 页码范围: 186-188
• 页数: 3页
• 分类号: TP333
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2007.11.063

摘要

目前流行的ARM9 CPU中,没有集成NAND FLASH的控制器,可以通过使用NOR FLASH的控制器或者VLIO的控制器,实现对外部NAND FLASH的控制.实测结果显示,用8 b I/O的NAND FLASH,在文件系统下读/写的速度为3 MB/s,擦除的速度为65 MB/s,满足现在流行手持设备对Memory的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏涛	上海交通大学微电子学院	1	11	1.0	1.0