关于MgB2/Al2O3超导薄膜电阻转变和各向异性的研究

• 作者: 任骏原 余增强 史力斌 张凤云 张国华
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: MgB2/Al2O3 超导体 电阻转变 各向异性
• 年，卷（期）: 2007,（9）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 5353-5358
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 4989字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.09.061

摘要

利用电子束蒸发方法将MgB2超导薄膜沉积到Al2O3(001)衬底上.采用标准的四引线法研究了磁场平行和垂直超导薄膜ab平面下的电阻转变.一个激活能模型 U(T,H)= U0(1-T/(Tc+δ))n (1-H/Hc2(0))m被建立用来分析超导薄膜磁通线的激活能和电阻转变,结果表明该模型能够在整个转变温度范围描述超导体磁通线的激活能和电阻转变.另外,利用多项式Hc2(t)=Hc2(0)+At+Bt2分析了MgB2/Al2O3超导薄膜的上临界磁场,获得了该超导薄膜的各向异性参数γ=Hc2ab(0)/Hc2c(0)= 2.26.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任骏原	渤海大学物理系	41	352	12.0	17.0
2	余增强	北京大学物理学院	8	19	4.0	4.0
3	史力斌	渤海大学物理系	28	74	5.0	6.0
4	张国华	北京科技大学应用科学学院物理系	50	176	7.0	12.0
5	张凤云	渤海大学物理系	3	6	2.0	2.0