AlGaN/GaN异质结载流子面密度测量的比较与分析

• 作者: 倪金玉 张进成 杨燕 郝跃 陈海峰 高志远
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: AlGaN/GaN异质结 电容-电压测量 载流子面密度 串联电阻效应
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 6629-6633
• 页数: 5页
• 分类号: O6
• 字数: 2659字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.11.077

摘要

对MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长的不同Al组分AlGaN/GaN异质结进行了范德堡法Hall测量和电容-电压(C-V)测量,发现Hall测量载流子面密度值大于C-V测量值,并且随着AlGaN层Al组分的增加,两种测量值都在增加,同时它们的差值也在增加.认为产生这一结果的原因有两方面.一方面,Ni/Au肖特基金属淀积在AlGaN/GaN异质结上,改变了AlGaN势垒层的表面状态,使得一部分二维电子气(2DEG)电子被抽取到空的施主表面态中,从而减小了AlGaN/GaN异质结界面势阱中的2DEG浓度.随着势垒层Al组分的增加,AlGaN层产生了更多的表面态,从而使得更多的电子被抽取到了空的表面态中.另一方面,由于C-V测量本身精确度受到串联电阻的影响,使得测量电容小于实际电容,从而低估了载流子浓度.