高能等离子体入射对磁场膨胀影响的模拟研究

• 作者: 刘宇 刘畅 姚杰 汤海滨 王海兴
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 网格质点法 磁场膨胀 偶极子磁场
• 年，卷（期）: 2007,（12）
• 所属期刊栏目: 基本粒子物理学与场
• 页码范围: 6899-6904
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3164字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.12.019

摘要

采用三维模型,使用混合网格质点法对等离子体入射偶极子磁场产生的磁场膨胀进行数值模拟.在模拟中考虑了高能等离子体注入两种不同类型磁场的情况:等离子体注入没有背景磁场的偶极子磁场和等离子体注入有背景磁场的偶极子磁场.研究表明背景磁场的存在不仅改变了粒子的分布,还改变了磁场膨胀的程度.还研究了注入的高能等离子体的速度对磁场膨胀的影响,结果表明入射的高能等离子体速度越大,磁场膨胀的程度就越大.对于低的入射速度,入射粒子在偶极子磁场中的回旋半径与偶极子磁场的特征长度相比较小,粒子被磁场束缚,对偶极子磁场的影响可以忽略.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘畅	北京航空航天大学宇航学院	42	211	9.0	11.0
2	汤海滨	北京航空航天大学宇航学院	59	211	7.0	10.0
3	刘宇	北京航空航天大学宇航学院	207	792	13.0	16.0
4	姚杰	北京航空航天大学宇航学院	16	59	4.0	7.0
5	王海兴	北京航空航天大学宇航学院	27	88	5.0	7.0