Si/Gen/Si(001)异质结薄膜的掠入射荧光X射线吸收精细结构研究

• 作者: 孙治湖 潘志云 谢治 闫文盛 韦世强
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: XAFS Si/Gen/Si(001)异质膜 迁移效应
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 3344-3349
• 页数: 6页
• 分类号: O46
• 字数: 3576字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.06.050

摘要

利用掠入射荧光X射线吸收精细结构(XAFS)方法研究了在400℃的温度下分子束外延生长的Si/Gen/Si(001)异质结薄膜(n=1,2,4和8个原子层)中Ge原子的局域环境结构.结果表明,在1至2个Ge原子层(ML)生长厚度的异质结薄膜中,Ge原子的第一近邻配位主要是Si原子.随着Ge原子层厚度增加到4 ML,Ge原子的最近邻配位壳层中的Ge-Ge配位的平均配位数增加到1.3.当Ge原子层厚度增加到8 ML时,第一配位壳层中的Ge-Ge配位占的比例只有55%.这表明在400℃的生长条件下,Ge原子有很强的迁移到Si覆盖层的能力.随着Ge层厚度从1增加到2,4和8 ML,Ge原子迁移到Si覆盖层的量由0.5 ML分别增加到1.5,2.0和3.0 ML.认为在覆盖Si过程中Ge原子的迁移主要是通过产生Ge原子表面偏析来降低表面能和Ge层的应变能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙治湖	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	13	12	2.0	2.0
2	韦世强	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	51	239	7.0	14.0
3	闫文盛	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	17	35	3.0	5.0
4	潘志云	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	8	15	2.0	3.0
5	谢治	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	8	17	2.0	4.0