InGaN/GaN多量子阱的组分确定和晶格常数计算

• 作者: 丁志博 姚淑德 张国义 王坤 王欢 王琦 陈田祥
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InGaN/GaN多量子阱 高分辨X射线衍射 卢瑟福背散射/道 光致发光
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2873-2877
• 页数: 5页
• 分类号: O7
• 字数: 3996字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.05.067

摘要

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术以蓝宝石为衬底在n型GaN单晶层上生长了InGaN/GaN多量子阱结构外延薄膜,利用高分辨X射线衍射(HRXRD),卢瑟福背散射/沟道(RBS/channeling),以及光致发光(PL)技术对InGaN/GaN多量子阱结构薄膜分别进行了平均晶格常数计算、In原子替位率计算和In组分的定量分析.研究表明:InGaN/GaN多量子阱的水平和垂直方向平均晶格常数分别为aepi=0.3195 nm,cpei=0.5198 nm,In原子的替位率为99.3%,利用HRXRD和RBS/channeling两种分析技术计算In的组分分别是0.023和0.026,并与样品生长时设定的预期目标相符合,验证了两种实验方法的准确性;而用室温条件下的光致发光谱(PL)来计算InGaN/GaN多量子阱中In的组分是与HRXRD和RBS/channeling的实验结果相差很大,说明用PL测试In组分的方法是不适宜的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王欢	北京大学物理学院	55	475	10.0	20.0
2	丁志博	北京大学物理学院	7	63	4.0	7.0
3	姚淑德	北京大学物理学院	22	100	5.0	9.0
4	王坤	北京大学物理学院	23	206	7.0	14.0
5	张国义		3	41	3.0	3.0
6	陈田祥	北京大学物理学院	3	35	3.0	3.0
7	王琦		1	28	1.0	1.0