掺稀土元素(Y,La)的γ-Si3N4的电子结构和光学性质

• 作者: 丁迎春 向安平 徐明 祝文军
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: γ-Si3N4 掺杂 电子结构 光学性质
• 年，卷（期）: 2007,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 5996-6002
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 字数: 4730字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.10.074

摘要

采用基于密度泛函的平面赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA),计算了未掺杂和掺杂稀土(Y,La)的γ-Si3N4中N-Y(La)键的布居值和它们的键长、掺杂后能带结构和态密度.发现掺杂后的带隙要减小,并且可能形成新的半导体,这将为找到新的半导体提供一个方向.还进一步研究了掺杂稀土(Y,La)后的光学性质,掺杂后有更高的静态介电常数,可以作为新的介电材料和好的折射材料,这对于一定的光学元件有潜在的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	向安平	成都信息工程学院光电技术系	48	146	7.0	9.0
2	徐明	四川师范大学物理与电子工程学院固体物理研究所	17	78	6.0	8.0
4	祝文军	四川师范大学物理与电子工程学院固体物理研究所	30	189	8.0	12.0
8	丁迎春	成都信息工程学院光电技术系	4	20	2.0	4.0