低相变温度垂直取向的CoPtCu/Ag纳米复合膜

• 作者: S.P.Wong 王浩 薛双喜
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁记录材料 CoPt 纳米复合膜
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3533-3538
• 页数: 6页
• 分类号: O46
• 字数: 3622字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.06.082

摘要

采用磁控溅射(Ag/Cu/CoPt)n多层膜先驱体结合真空退火的方法制备了一系列CoPtCu/Ag纳米复合薄膜,通过优化薄膜中Ag以及Cu的含量,成功制备出了低相变温度垂直取向的CoPtCu/Ag纳米复合膜,该膜在450℃退火即可发生相变,该温度比目前所报导的CoPtAg纳米复合膜的相变温度降低了150℃.实验结果表明,薄膜中一定含量的Ag元素能够有效诱导薄膜的(001)取向,Cu元素的加入能有效降低薄膜的有序化温度.对于特定组分为Co40Pt36Cu8Ag16的薄膜,经500℃退火后已经显示了明显的(001)取向,垂直于膜面方向上的矫顽力为5.0×105 A/m,并且薄膜中晶粒尺寸仅为4-5 nm,为将来CoPt-L10有序相合金薄膜用于超高密度垂直磁记录介质打下了基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王浩	湖北大学物理学与电子技术学院暨纳米技术研究中心	33	185	6.0	13.0
2	S.P.Wong	香港中文大学电子工程系	5	20	3.0	4.0