衬底对Cu(In,Ga)Se2薄膜织构的影响

• 作者: 何青 刘芳芳 孙云 敖建平 李凤岩 李微 李长健
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 择优取向 Cu(In Ga)Se2薄膜 太阳电池
• 年，卷（期）: 2007,（8）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 5009-5012
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 2631字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.08.106

摘要

分别在苏打石灰玻璃、Mo箔、无择优取向的Mo薄膜以及(110)择优取向的Mo薄膜四种不同衬底上,采用共蒸发工艺沉积约2μm厚的Cu(In,Ga)Se2薄膜,用X射线衍射仪测量薄膜的织构,研究衬底对Cu(In,Ga)Se2薄膜织构的影响.在以上四种衬底上沉积的Cu(In,Ga)Se2薄膜的(112)衍射峰强度依次逐渐减弱,(220/204)衍射峰从无到有且强度逐渐增强.在苏打石灰玻璃和Mo箔衬底上的Cu(In,Ga)Se2薄膜具有明显的(112)择优生长,而在(110)取向的Mo薄膜衬底上,Cu(In,Ga)Se2薄膜的织构为(220/204)取向.研究结果表明,只有(110)择优取向的Mo薄膜衬底对Cu(In,Ga)Se2薄膜(220/204)织构的形成有重要影响.