节瘤缺陷对中红外高反射膜电场增强影响的数值分析

• 作者: 刘旭 厉以宇 王颖 章岳光 陈为兰
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 多层介质薄膜 中红外 节瘤缺陷 高斯光
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 6588-6591
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 2268字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.11.071

摘要

运用时域有限差分(FDTD)方法建立了薄膜中节瘤缺陷在高斯激光照射下电磁场响应模型,分析了节瘤的深度、起始颗粒大小和入射光角度对薄膜中电磁场的影响.结果表明:节瘤缺馅对薄膜中电场强度有显著的加强作用,其内部峰值场强是入射光的6倍,大而浅节瘤缺陷对倾斜入射p偏振态的激光具有最高的加强效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘旭	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	214	1718	22.0	32.0
2	王颖	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	60	354	9.0	17.0
3	章岳光	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	40	424	12.0	20.0
4	厉以宇	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	17	112	8.0	9.0
5	陈为兰	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	1	2	1.0	1.0