Si(001)基片上反应射频磁控溅射 ZnO薄膜的两步生长方法

• 作者: 付伟佳 刘志文 刘明 张庆瑜 谷建峰 马春雨
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: ZnO薄膜 反应射频磁控溅射 两步生长 形貌分析
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 2369-2376
• 页数: 8页
• 分类号: O6
• 字数: 5301字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.04.085

摘要

利用反应射频磁控溅射技术,采用两步生长方法制备了ZnO薄膜,探讨了基片刻蚀时间和低温过渡层沉积时间对ZnO薄膜生长行为的影响.研究结果表明,低温ZnO过渡层的沉积时间所导致的薄膜表面形貌的变化与过渡层在Si(001)表面的覆盖度有关.当低温过渡层尚未完全覆盖基片表面时,ZnO薄膜的表面岛尺度较小、表面粗糙度较大,薄膜应力较大;当低温过渡层完全覆盖Si(001)基片后,ZnO薄膜的表面岛尺度较大、表面粗糙度较小,薄膜应力较小.基片刻蚀时间对薄膜表面形貌的影响与低温过渡层的成核密度有关.随着刻蚀时间的增加,ZnO薄膜的表面粗糙度逐渐下降,表面形貌自仿射结构的关联长度逐渐减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘明	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	45	494	12.0	20.0
2	张庆瑜	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	92	897	16.0	25.0
3	马春雨	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	22	178	8.0	12.0
4	谷建峰	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	9	123	6.0	9.0
5	付伟佳	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	6	75	4.0	6.0
6	刘志文	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	12	264	8.0	12.0