CsF/Al阴极对提高芴基饱和红光器件性能的研究

• 作者: 彭俊彪 曹镛 田仁玉 阳仁强
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: 聚合物发光二极管 聚合物/电极界面 CsF/Al阴极 电子注入
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2409-2414
• 页数: 6页
• 分类号: O6
• 字数: 4606字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.04.092

摘要

从聚合物/电极界面修饰的角度对基于饱和红光聚合物PFO-SeBT(9,9-二辛基芴与4,7-二硒吩-2,1,3-苯并噻二唑的无规共聚物)的发光二极管的性能进行了改进,通过采用CsF/Al阴极并优化CsF的厚度以及在PFO-SeBT1/阳极界面插入聚乙烯基咔唑(PVK)层,使器件的最大电致发光外量子效率达到1.79%,比采用低功函数的金属Ba/Al阴极器件的效率提高了两倍多.器件的性能得以改善的原因是CsF/Al阴极能有效提高电子注入能力以及PVK层对电子的阻挡作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭俊彪	华南理工大学高分子光电材料与器件研究所	63	524	15.0	20.0
5	曹镛	华南理工大学高分子光电材料与器件研究所	53	581	15.0	22.0
9	田仁玉	华南理工大学物理科学与技术学院	9	30	3.0	5.0
10	阳仁强	华南理工大学高分子光电材料与器件研究所	8	84	4.0	8.0