金属管件内壁栅极增强等离子体源离子注入的轴向特性研究

• 作者: 冯文然 刘赤子 张谷令 杨思泽 牛二武 王久丽 范松华 陈光良 顾伟超
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 等离子体源离子注入 内表面 氮化钛
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 流体、等离子体和放电
• 页码范围: 1461-1466
• 页数: 6页
• 分类号: O53
• 字数: 3739字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.03.037

摘要

栅极增强等离子体源离子注入(GEPSⅡ)一种新的金属管本内壁处理方法,该方法能够均匀地对金属管件内壁进行离子注入,并且能够生成二元金属化合物.在金属管件内轴向放置三块45号钢样品,利用GEPSⅡ方法在金属管件内壁成功生长金黄色氮化钛(TiN)薄膜.结构分析显示TiN主要沿(111)和(200)晶面生长,深度分析显示膜的厚度大约二十几纳米,膜质地均匀且在基底有一定的嵌入深度.电化学腐蚀、硬度、磨擦学分析表明TiN薄膜很好地改善了45号钢的表面性能,并且表现出很高的轴向均匀性.