不同量子阱宽度的InP基In0.53GaAs/In0.52AlAs高电子迁移率晶体管材料二维电子气的性能研究

• 作者: 周文政 商丽燕 曾一平 朱战平 李东临 王宝强 高宏玲
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 量子阱宽 二维电子气 Shubnikov-de Haas振荡 高电子迁移率晶体管
• 年，卷（期）: 2007,（8）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 4955-4959
• 页数: 5页
• 分类号: TN3
• 字数: 3146字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.08.097

摘要

用Shubnikov-de Haas(SdH)振荡效应,研究了在1.4 K下不同量子阱宽度(10-35 nm)的InP基高电子迁移率晶体管材料的二维电子气特性.通过对纵向电阻SdH振荡的快速傅里叶变换分析,得到不同阱宽时量子阱中二维电子气各子带电子浓度和量子迁移率.研究发现,在Si掺杂浓度一定时,阱宽的改变对于量子阱中总的载流子浓度改变不大,但是随着阱宽的增加,阱中的电子从占据一个子带到占据两个子带,且第二子带上的载流子迁移率远大于第一子带迁移率.当量子阱宽度为20 nm时,处在第二子能级上的电子数与处在第一子能级上的电子数之比达到了最大值0.24.此时有最多的电子位于迁移率高的第二子能级,材料的迁移率也最大.此结果对于优化器件的设计有重要意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾一平	中国科学院半导体研究所	85	439	11.0	16.0
2	李东临	中国科学院半导体研究所	2	3	1.0	1.0
3	王宝强	中国科学院半导体研究所	9	21	2.0	4.0
4	周文政	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	2	2	1.0	1.0
5	高宏玲	中国科学院半导体研究所	2	1	1.0	1.0
6	朱战平	中国科学院半导体研究所	3	2	1.0	1.0
7	商丽燕	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	1	1	1.0	1.0