Ⅲ族元素掺杂对SnO2电子结构及电学性能的影响

• 作者: 季振国 杜娟
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: 密度泛函理论 SnO2 Ⅲ族元素掺杂 电子结构
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2388-2392
• 页数: 5页
• 分类号: O6
• 字数: 2745字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.04.088

摘要

采用密度泛函理论研究了Ⅲ族元素掺杂对SnO2电子结构及电学性能的影响.态密度分析结果表明,以替代位存在的Ⅲ族杂质均使SnO2的费米能级明显向低能态方向移动,使得价带顶不完全填满,因此在SnO2中均充当受主作用.部分态密度分析结果表明,相对于掺Al的SnO2,Ⅲ族元素中的Ga及In对费米能级附近态密度贡献较大,其主要贡献来自Ga3d态或In4d态,这预示着在SnO2中掺Ga或In能实现更好的p型掺杂效果.电离能计算结果进一步表明,在Al,Ga及In三种元素中,替位In有最小的电离能(0.06 eV),这说明其在SnO2中能形成最浅的受主能级,因而在同等掺杂情况下,可引入最高浓度的空穴,从而实现最佳的p型掺杂效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	季振国	浙江大学硅材料国家重点实验室	48	467	12.0	19.0
2	杜娟	杭州电子科技大学电子信息学院	2	23	2.0	2.0