SiC纳米杆的驰豫性能研究

• 作者: 刘桂荣 田建辉 秦金旗 韩旭 龙述尧
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SiC纳米杆 分子动力学 表面效应 小尺寸效应
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 总论
• 页码范围: 643-648
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 4435字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.02.007

摘要

采用Tersoff势对SiC驰豫性能进行了分子动力学模拟.模拟了SiC在驰豫过程中的动态平衡变化过程,研究了表面效应和小尺寸效应对原子位置,原子能量分布的影响.模拟结果表明,SiC纳米杆受表面效应和小尺寸效应的影响很大,在不加外载和约束的情况下,出现了不同于宏观SiC杆的弯扭屈伸现象,最终形成了带有一定扭转弯曲量、总能量达到最低的稳定状态.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	龙述尧	湖南大学力学与航空航天学院	72	1057	16.0	30.0
2	韩旭	湖南大学汽车车身先进设计制造国家重点实验室	123	1069	18.0	27.0
3	秦金旗	湖南大学力学与航空航天学院	6	35	4.0	5.0
4	刘桂荣	湖南大学汽车车身先进设计制造国家重点实验室	3	39	3.0	3.0
5	田建辉	湖南大学汽车车身先进设计制造国家重点实验室	5	34	3.0	5.0