表面注入P-top区double RESURF功率器件表面电场模型

• 作者: 张波 李琦 李肇基
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 表面注入 double RESURF 表面电场 击穿电压
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 6660-6665
• 页数: 6页
• 分类号: O57
• 字数: 4748字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.11.082

摘要

提出表面注入P-top区double RESURF功率器件表面电场和击穿电压解析模型. 基于分区求解二维Poisson方程,获得double RESURF表面电场的解析式. 借助此模型,研究了器件结构参数对表面电场和电势的影响; 计算了漂移区长度和厚度与击穿电压的关系,给出了获得最大击穿电压和最小导通电阻的途径. 数值结果,解析结果和试验结果符合较好.