DFT方法研究掺杂氮化硅对SONOS器件保持性能的作用

• 作者: 房少华 程秀兰 顾怀怀 黄晔
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: SONOS器件 密度泛函理论 无定形氮化硅 掺杂
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 6634-6641
• 页数: 8页
• 分类号: TN3
• 字数: 5112字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.11.078

摘要

可通过对氮化硅层掺杂来改变俘获电荷的缺陷种类和数量的方法,改善SONOS非挥发性存储器件的保持性能.建立无定形氮化硅和氧、硫、磷、氟或氯掺杂氮化硅中缺陷的簇模型;根据第一性原理的密度泛函理论(DFT),对缺陷的簇模型结构优化并计算能量,得到缺陷俘获电荷过程的能量变化.发现缺陷俘获电子的能力比俘获空穴的能力好,电子释放过程应对温度敏感,而空穴释放过程主要由隧穿机理控制.预测与氧氮化硅一样,硫或磷掺杂氮化硅代替氮化硅作为SONOS器件的电荷储存层,可改善器件的保持性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程秀兰	上海交通大学微电子学院	48	205	5.0	12.0
2	黄晔	上海交通大学微电子学院	2	17	2.0	2.0
3	房少华	上海交通大学微电子学院	8	25	3.0	4.0
4	顾怀怀	上海交通大学微电子学院	2	5	2.0	2.0