InN纳米线的低压化学气相沉积及其场发射特性研究

• 作者: 叶凡 王晓明 蔡兴民 谢二庆 赵建果
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: InN纳米线 场电子发射 非线性Fower-Nordheim曲线
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 2342-2346
• 页数: 5页
• 分类号: O6
• 字数: 3341字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.04.081

摘要

利用低压化学气相沉积方法在以Au作催化剂的Si衬底上生长了InN纳米线.扫描电子显微镜分析表明,这些纳米线的直径在60-100 nm的范围内,而其长度大于1 μm.高分辨透射电子显微镜图像表明,合成的纳米线中含有六方相和立方相的InN晶体.这些InN纳米线具有良好的场发射特性和稳定的场发射电流,其开启场为10.02 V/μm(电流密度为10 μA/cm2),在24 V/μm 的电场下,其电流密度达到5.5 mA/cm2.此外,对InN纳米线的场发射机理也进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢二庆	兰州大学物理科学与技术学院	84	371	11.0	14.0
2	叶凡	兰州大学物理科学与技术学院	6	21	2.0	4.0
3	王晓明	兰州大学物理科学与技术学院	5	4	1.0	1.0
4	蔡兴民	深圳大学物理科学学院	4	31	2.0	4.0
5	赵建果	兰州大学物理科学与技术学院	4	22	2.0	4.0