Delta掺杂制备p-GaN薄膜及其电性能研究

• 作者: 刘建平 刘莹 张念国 李彤 沈光地 牛南辉 王怀兵 邢艳辉 韩军 高国
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 LEDs MOCVD Delta掺杂
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 1036-1040
• 页数: 5页
• 分类号: TN3
• 字数: 3276字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.02.069

摘要

采用Delta掺杂技术制备了p型氮化镓薄膜,并利用原子力显微镜、霍尔测试、X射线衍射、荧光光谱等测试手段对样品的形貌和电导性能进行了分析,发现Delta掺杂样品比均匀掺杂样品晶体质量和电导性能都有很大提高,说明Delta掺杂可有效抑制缺陷,并对缺陷抑制机理进行了讨论;最后,对掺杂前的预通氨过程作了深入的研究,结果发现,预通氨对掺杂不益.