0.65 V 3 mW CMOS低噪声放大器设计

• 作者: 殷蔚
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 低电压 低功耗 低噪声放大器 CMOS
• 年，卷（期）: 2007,（15）
• 所属期刊栏目: 通信设备
• 页码范围: 104-106
• 页数: 3页
• 分类号: TN72
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2007.15.035

摘要

给出了工作电压为0.65 V,功耗仅为3 mW的低噪声放大器设计.设计采用TSMC 0.18 μm RF CMOS工艺完成.最终的电路仿真结果显示,在0.65 V的电源电压下,S21达到17 dB,S11小于-11 dB,噪声系数小于2.2 dB,线性度指标IIP3为-11.6 dBm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	殷蔚		3	10	2.0	3.0