背栅效应对SOI横向高压器件击穿特性的影响

• 作者: 乔明 周贤达 张波 方健 李肇基
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: SOI 背栅 体内场降低 LDMOS
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 3990-3995
• 页数: 6页
• 分类号: TM5
• 字数: 3172字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.07.058

摘要

提出一种SOI基背栅体内场降低BG REBULF(back-gate reduced BULk field)耐压技术.其机理是背栅电压诱生界面电荷,调制有源区电场分布,降低体内漏端电场,提高体内源端电场,从而突破习用结构的纵向耐压限制,提高器件的击穿电压.借助二维数值仿真,分析背栅效应对厚膜高压SOI LDMOS(＞600 V)击穿特性的影响,在背栅电压为330 V时,实现器件击穿电压1020 V,较习用结构提高47.83%.该技术的提出,为600 V以上级SOI基高压功率器件和高压集成电路的实现提供了一种新的设计思路.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张波	电子科技大学微电子与固体电子学院	206	1313	17.0	26.0
2	李肇基	电子科技大学微电子与固体电子学院	85	958	14.0	28.0
3	方健	电子科技大学微电子与固体电子学院	35	304	9.0	16.0
4	周贤达	电子科技大学微电子与固体电子学院	3	13	2.0	3.0
5	乔明	电子科技大学微电子与固体电子学院	35	178	8.0	12.0