InP 中深能级缺陷的产生与抑制现象

• 作者: 董志远 赵有文
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 磷化铟 退火 缺陷
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 1476-1479
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 2748字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.03.040

摘要

研究了原生和高温退火处理后非掺n型和半绝缘InP单晶材料中产生的缺陷.在磷气氛下退火后,n 型和半绝缘InP单晶中均明显产生相当数量的深能级缺陷,而在磷化铁气氛下退火后,InP的缺陷数量明显减少.在退火过程中缺陷的产生与磷和铁的内扩散有直接关系.向内扩散的磷原子和铁原子占据晶格中铟位后,分别产生反位缺陷和铁深受主.实验结果表明,铁通过扩散充分占据了铟位,抑制了铟空位、磷反位等缺陷的形成,而磷气氛下退火后产生的缺陷有铟空位、磷反位等.对InP中的缺陷属性进行了分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵有文	中国科学院半导体研究所	42	217	7.0	11.0
2	董志远	中国科学院半导体研究所	25	154	7.0	11.0