高压VDMOSFET导通电阻的优化设计

• 作者: 王标 白朝辉
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: VDMOS 穿通型VDMOS 优化外延层 导通电阻
• 年，卷（期）: 2007,（16）
• 所属期刊栏目: 数字/模拟电路
• 页码范围: 174-176
• 页数: 3页
• 分类号: TP451
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2007.16.058

摘要

以500 V VDMOS为例,首先分析了高压VDMOS导通电阻与电压的关系,重点讨论穿通型VDMOS的外延厚度与器件的耐压和导通电阻的关系.给出对高压VDMOS外延层厚度的优化方案,并基于理论分析在器件仿真设计软件平台上成功完成了耐压500 V、导通电阻0.85 Ω的功率VDMOS器件的设计和仿真.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	白朝辉		5	33	3.0	5.0
2	王标		2	12	2.0	2.0