存储阵列中的串扰分析及脉冲产生电路设计

• 作者: 杨银堂 马城城 龙娟
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 耦合 间隔译码 串扰 SRAM
• 年，卷（期）: 2007,（12）
• 所属期刊栏目: 数字/模拟电路
• 页码范围: 172-174
• 页数: 3页
• 分类号: TN710
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2007.12.060

摘要

在SRAM存储阵列的设计中,经常会遇到相邻信号线与电路节点间耦合引起的串扰问题.针对这个问题给出位线"间隔译码"的组织结构,有效地降低了存储器读写时寄生RC所带来的串扰.同时,针对该"间隔译码"的存储阵列结构,设计了脉冲产生电路,该电路只需要利用行地址的变化来生成充电脉冲,不仅简化了电路的规模,而且减小了读写操作时存储阵列中单元之间的串扰,提高了可靠性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子学院	420	2932	23.0	32.0
2	龙娟	西安电子科技大学微电子学院	3	38	2.0	3.0
3	马城城	西安电子科技大学微电子学院	1	0	0.0	0.0