基于常规CMOS工艺的电子镇流器芯片设计

• 作者: 黄浩峰
• 来源期刊: 电脑知识与技术：学术交流
• 学科: 工学
• 关键词: 常规CMOS工艺 自举 电容耦合 高压管驱动芯片
• 年，卷（期）: 2007,（9）
• 页码范围: 1434-1436
• 页数: 3页
• 分类号: TN402

摘要

分析当前主流电子镇流器控制芯片的优缺点,提出了一种适用于功率在20W以下节能灯控制芯片的设计方案。采用常规的CMOS铝栅工艺。整个控制芯片由主芯片和高压管驱动两块芯片组成,两管间通过自举电容耦合。自举电容起的作用：（1）隔离高压（2）传输高压功率管的控制信号。此设计方案的难点是设计出符合上述设计要求的高压管驱动芯片。此款芯片采用6μm CMOS铝栅工艺模型,经仿真验证,现已通过MPW流片成功。测试各项指标都达到设计要求。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄浩峰	东南大学IC学院	1	0	0.0	0.0