原文服务方: 现代电子技术       
摘要:
提出了一种基于TSMC 0.18 μm CMOS 工艺的2.4 G频率下带负反馈的CMOS低噪声放大器.采用带有级间匹配的共源共栅电路结构,使放大器具有较高的增益和反相隔离度,并在输入端加入π型网络,保证较高的品质因数和信噪比.此外,该放大器在输出端引入反馈支路,有效地降低了密勒效应的影响.通过ADS软件仿真得到很好的结果:在1.8 V电压下,输入输出匹配良好,电路增益为为15.15 dB,噪声系数为0.62 dB,直流功耗为7.9 mW.
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文献信息
篇名 一种0.18 μm 2.4G CMOS低噪声放大器的设计
来源期刊 现代电子技术 学科
关键词 低噪声放大器 CMOS 反馈 噪声系数 增益
年,卷(期) 2007,(8) 所属期刊栏目 元器件与应用
研究方向 页码范围 21-23
页数 3页 分类号 TN722.3
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-373X.2007.08.008
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作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李开航 31 74 5.0 6.0
2 张君玲 1 5 1.0 1.0
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低噪声放大器
CMOS
反馈
噪声系数
增益
研究起点
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相关学者/机构
期刊影响力
现代电子技术
半月刊
1004-373X
61-1224/TN
大16开
1977-01-01
chi
出版文献量(篇)
23937
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0
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135074
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