原文服务方: 科技与创新       
摘要:
提出了使用CMOS工艺的集成霍尔器件的一个新的电阻仿真模型.可用于设计集成霍尔传感器的整体设计,将磁信号转换为电信号.使用Verilog-A HDL语言实现,并且用Spectre电路仿真器执行,可实现宽温度范围应用.行为方程和行为参数建立在霍尔器件的基本理论和半导体物理的基础上并且经过电路仿真验证.为了提供对集成霍尔传感器的仿真方便性,使用了必要的Verilog-A HDL实现的磁场模型和霍尔模型.
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文献信息
篇名 集成霍尔器件的一个仿真模型及其应用
来源期刊 科技与创新 学科
关键词 霍尔传感器 电阻模型 Verilog-A HDL 行为级仿真
年,卷(期) 2007,(19) 所属期刊栏目 传感器与仪器仪表
研究方向 页码范围 135-137
页数 3页 分类号 TP212.13
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1008-0570.2007.19.056
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研究主题发展历程
节点文献
霍尔传感器
电阻模型
Verilog-A HDL
行为级仿真
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
科技与创新
半月刊
2095-6835
14-1369/N
大16开
2014-01-01
chi
出版文献量(篇)
41653
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202805
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