一种高精度BiCMOS带隙电压基准源的设计

• 作者: 冯全源 李淼
• 来源期刊: 科技与创新
• 关键词: 带隙电压基准源 电源抑制比 温度补偿 共源共栅电流镜
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 电子设计
• 页码范围: 294-295,227
• 页数: 3页
• 分类号: TN433
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-0570.2007.11.116

摘要

在对传统典型CMOS带隙电压基准源电路分析基础上提出了一种高精度,高电源抑制带隙电压基准源.电路运用带隙温度补偿技术,采用共源共栅电流镜,两级运放输出用于自身偏置电路.整个电路采用了UMC 0.6um BiCMOS工艺实现,采用HSPICE进行进行仿真,在TT模型下,仿真结果显示当温度为-40℃～80℃,输出基准电压变化小于1.5mV,低频电源抑制比达到75dB以上.