一种SET/CMOS混合器件模型的建立及特性分析

• 作者: 史党院 蔡理 邵一丹
• 来源期刊: 科技与创新
• 关键词: 单电子晶体管 SET/CMOS 库伦阻塞效应 SPICE
• 年，卷（期）: 2007,（29）
• 所属期刊栏目: 电子设计
• 页码范围: 283-284,106
• 页数: 3页
• 分类号: TN321
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-0570.2007.29.116

摘要

本文基于一种单电子晶体管数学模型(改进的MIB模型),实现其SPICE宏模型.提出一种改进型SET/CMOS混合器件模型,并用SPICE对其Ⅰ-Ⅴ特性进行了仿真验证,仿真结果证实了电流与电压具有线性关系.此混合模型的线性电流区可以在积分器以及滤波器电路中得到应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡理	空军工程大学理学院	136	382	8.0	11.0
2	史党院	空军工程大学理学院	2	3	1.0	1.0
3	邵一丹	空军工程大学理学院	2	3	1.0	1.0