适用于智能功率IC的700v Double-ResurfLdmos研究

• 作者: 徐志平 沈文星 王书凯 程东方
• 来源期刊: 科技与创新
• 关键词: 双减少表面场 横向双扩散MOS晶体管 计算机辅助设计技术
• 年，卷（期）: 2007,（23）
• 所属期刊栏目: 电子设计
• 页码范围: 270-271,283
• 页数: 3页
• 分类号: TP211+.51
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-0570.2007.23.108

摘要

本文用Synopsys公司的TCAD工具-TWB(TAURUS WORK-BENCH)虚拟FAB进行研究设计了适用于智能功率集成电路的700v单晶扩散型Double-Resud Ldmos.该高压管的生产工艺和标准的CMOS工艺完全兼容,只需要增加3张掩模板.通过优化工艺参数,用Medici仿真的最高耐压可以达到800v,导通电阻为16Ω,可以广泛应用于各种功率控制电路.