场引晶体管理论:Ⅺ.双极电化电流(薄及厚、纯及不纯基体,单及双MOS栅极)

• 作者: 揭斌斌 薩支唐
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 双极场引晶体管理论 MOS场引晶体管 并存电子和空穴表面和体积沟道和电流 表面势 两区短沟道理论 双栅不纯基理论
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 技术进展
• 页码范围: 397-409
• 页数: 13页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 4853字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.03.001

摘要

场引晶体管本质双极,包括电子和空穴表面和体积沟道和电流,一或多个外加横向控制电场.自1952年Shockley发明,55年来它被认为单极场引晶体管,因电子电流理论用多余内部和边界条件,不可避免忽略空穴电流.多余条件,诸如电中性和常空穴电化电势,导致仅用电子电流算内部和终端电学特性的错误解.当忽略的空穴电流与电子电流可比,可在亚阈值区和强反型区,错误解有巨大误差.本文描述普适理论,含有电子和空穴沟道和电流.用z轴宽度方向均匀的直角平行六面体(x,Y,z)晶体管,薄或厚、纯或杂基体,一或二块MOS栅极,描述两维效应及电势、电子空穴电化电势的正确内部和边界条件.没用多余条件,导出四种常用MOS晶体管,直流电流电压特性完备解析方程:半无限厚不纯基上一块栅极(传统的Bulk MOSFET),与体硅以氧化物绝缘的不纯硅薄层上一块栅极(SOI),在沉积到绝缘玻璃的不纯硅薄层上一块栅极(SOI TFT),和薄纯基上两块栅极(FinFETs).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	揭斌斌		11	31	4.0	5.0