生长温度和结构参数对InGaAs/GaAs量子阱光学特性的影响

• 作者: 姚江宏 皮彪 舒永春 贾国治 邢晓东
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 应变量子阱 偏析 脱附 光致发光谱
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 页码范围: 325-329
• 页数: 5页
• 分类号: O472.3|O482.31|TN253
• 字数: 2201字
• 语种: 中文

摘要

研究了不同生长温度下制备的In0.15Ga0.85As/GaAs应变量子阱的PL谱,结果表明,生长温度越高,In偏析和In-Ga互混越严重,同时,导致更多的In脱附,PL谱发光峰蓝移.对不同In含量的和不同InGaAs厚度的InGaAs/GaAs量子阱进行PL谱测试,分析表明In含量＜0.2,生长温度低于560 ℃时,In含量和InGaAs层量子阱的厚度对In偏析、脱附和In-Ga互混基本没有影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚江宏	南开大学弱光非线性光子学教育部重点实验室	24	136	8.0	10.0
3	贾国治		5	14	2.0	3.0
6	舒永春	南开大学弱光非线性光子学教育部重点实验室	5	38	4.0	5.0
8	邢晓东	南开大学弱光非线性光子学教育部重点实验室	3	21	3.0	3.0
14	皮彪	南开大学弱光非线性光子学教育部重点实验室	1	9	1.0	1.0