阿霉素在纳米钴/碳纳米管/ITO修饰电极上的电化学行为

• 作者: 李启隆 胡劲波 魏翠梅 龚兰新
• 来源期刊: 分析化学
• 学科: 化学
• 关键词: 多壁碳纳米管 纳米钴 阿霉素 电化学行为
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 1121-1124
• 页数: 4页
• 分类号: O6
• 字数: 2761字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3820.2008.08.023

摘要

以固定在氧化铟锡(ITO)电极上的多壁碳纳米管为基底吸附纳米钴,制备了复合纳米材料修饰的电极(Co/CNT/ITO).采用扫描电子显微镜(SEM )和电子能谱(EDS)等对其进行了表征.用纳米钴/碳纳米管/ITO电极,研究了阿霉素(ADM)的电化学行为.实验表明,该体系具有吸附性的不可逆过程,峰电位为-0.65 V(vs.Ag/AgCl),峰电流与ADM 浓度在1.0×10-9～5.0×10-7mol/L范围内呈线性关系;检出限为1.0×10-9mol/L.本法灵敏、简便.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡劲波	北京师范大学化学学院	47	423	13.0	18.0
2	李启隆	北京师范大学化学学院	48	405	13.0	17.0
3	龚兰新	新疆师范大学生命科学与化学学院	32	119	6.0	8.0
4	魏翠梅	北京师范大学化学学院	4	24	3.0	4.0