退火对SOI材料电阻率的影响

• 作者: 程新利
• 来源期刊: 苏州科技学院学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: SOI材料 退火 电阻率
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 页码范围: 6-10
• 页数: 5页
• 分类号: O738|TN304.9
• 字数: 3007字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-0687.2008.02.002

摘要

在SIMOX SOI材料外延生长硅层时,存在电阻率较高的过渡层.对衬底研究表明,SOI层呈现高阻.采取不同温度对衬底进行退火,结果表明:合适的温度退火可以明显降低SOI层电阻率,对外延硅层后的SOI材料进行退火,也可以部分降低外延层电阻率,减少外延层中高阻层厚度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程新利	苏州科技学院数理学院	15	10	2.0	3.0